JNG15T120HS - транзистор IGBT силовой, быстродействующий (максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±30В, максимальный ток коллектор-эмиттер 30А/импульсный 45А, время задержки включения/выключения 20нс/150нс, типовое напряжение насыщения Uк-э =1.9В/Iкэ=15А@Uзэ=15В, 40Вт÷105Вт, -40°С÷155°С, TO-247) - производства компании JIAEN Semiconductor Co.
ССЫЛКИ
1) Оригинальные IGBT транзисторы JNG15T120HSв магазине "Радиодар" (от 115 руб)
2) Обсуждение транзисторов JNG15T120HSна форуме мастеров по сварочникам (Радиодар форум)