Мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (далее - БТИЗ) изготовленный по технологии NPT IGBT относится к семейству WARP2 и применяется в работе на частотах до 150 кГц (импульсные источники питания мощностью до 12 кВатт). В транзистор встроен антипараллельный HEXFRED диод на 25 ампер, обеспечивающий возможность работы с более высокими токами обратного восстановления.
Благодаря применению технологии WARP2 и втрое меньшей величине кристалла БТИЗ транзисторы IRGP50B60PD1 обеспечивают высокие показатели тока и более улучшенные тепловые характеристики (по сравнению с одноразмерными кристаллами полевых транзисторов).
Максимальная величина напряжения до 600 вольт, при этом транзистор в корпусе TO-247 выдерживает ток коллектора до 75 ампер (при 25°С) и до 45 ампер (при 100°С). Токи диода могут достигать до 65 и 25 ампер соответственно. При этом, падение на открытом транзисторы не превышает 2-х вольт (при токе коллектора 33 ампера).

Характеристики

Тип	Структура	NPT IGBT (БТИЗ)	с диодом
Vces макс	Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	600	Вольт
Ic макс	Максимальный ток коллектор-эмиттер (при t=25°С)	75	Ампер
Ic макс	Максимальный ток коллектор-эмиттер (при t=100°С)	45	Ампер
Icm макс	Импульсный ток коллектора	150	Ампер
Vce(on) макс	Напряжение насыщения (при Ic=50А)	2.85	Вольт
td(on)	Время задержки включения	30	нс
td(off)	Время задержки выключения	130	нс
T	Рабочая температура	-55...+150	°С
Case	Тип корпуса	TO-247AC
VGS(th)	Управляющее напряжение	5.5	Вольт
Weight	Вес	7,5	Грамм

Назначение выводов

Транзистор выпускается в одном единственном корпусе - ТО-247AC. Назначения выводов приведены на рисунке:

ССЫЛКИ

1) Оригинальные IGBT транзисторы IRGP50B60PD1 в магазине "Радиодар" (от 590 руб)

2) Обсуждение транзисторов IRGP50B60PD1 на форуме мастеров по силовой схемотехнике (Радиодар форум)

3) Скачать IRGP50B60PD1 datasheet (ревизия 1 от 25 июля 2008 г.)